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- 無線充電ic方案 5w無線充電5v1a發(fā)射端tx芯片ip6805u外圍器件少成本低
- ip6805u是一款5w無線充電5v1a發(fā)射端tx芯片SOC,兼容WPC Qi v1.2.4新標(biāo)準(zhǔn),支持A11或A11a線圈,支持5W充電。集成NMOS全橋驅(qū)動(dòng)和全橋功率MOS,輸入耐壓16V,可用于5w車載無線充電器方案。 ip6805u內(nèi)置兩個(gè)對(duì)稱的的半橋驅(qū)動(dòng)模塊內(nèi)置...
2023-09-04 查看(738)
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- 無線充電ic方案 15w qi無線充電芯片方案英集芯ip6808_ua無線充電發(fā)射控制器
- 英集芯ip6808_ua無線充電發(fā)射控制器是一款15w qi無線充電芯片方案SOC,兼容WPC Qi v1.2.4 最新標(biāo)準(zhǔn),支持A11線圈,支持5W、蘋果7.5W、三星10W、EPP 15W充電。15w qi無線充電芯片方案ip6808_ua芯片內(nèi)集成全橋驅(qū)動(dòng)電路和電壓&電流兩路ASK通訊...
2023-09-04 查看(676)
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- 其他芯片方案 英集芯IP2610 32V輸入耐壓過壓保護(hù)ic芯片
- IP2610 是一款具有輸入過壓保護(hù)集成 IC。IP2610 的輸入耐壓達(dá) 32V;檢測(cè)到輸入電壓大于 OVP 保護(hù)聞值后,能快速關(guān)閉內(nèi)部集成的功率管防止輸入高壓損壞輸出上的設(shè)備;IP2610 集成有過溫保護(hù),當(dāng)檢測(cè)到芯片內(nèi)部溫度過高時(shí),也會(huì)關(guān)斷功率管輸出。...
2023-08-15 查看(1120)
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- 氮化鎵GaN/協(xié)議 INN700D140C氮化鎵700V GaN增強(qiáng)模式功率ic芯片
- 英諾賽科INN700D140C氮化鎵700VGaN-on-Silicon增強(qiáng)型功率晶體管的雙面板設(shè)計(jì)T無鉛封裝 (DFN)用8mmx8mm尺寸。應(yīng)用程序:交直流轉(zhuǎn)換器‘’直流一直流轉(zhuǎn)換器,圖騰柱PFC,電池快速充電,高密度功率轉(zhuǎn)換高效率功率轉(zhuǎn)換。...
2023-08-12 查看(801)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM6014A高單元密度溝槽式N溝道MOSFET
- AGM6014A是高單元密度溝槽式N溝道MOSFET可為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供excellentRDSON和柵極電荷。...
2023-08-12 查看(761)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM12T05A高單元密度溝槽N溝道MOSFET
- AGM12T05A是高單元密度溝槽N溝道MOSFET,它提供了同步降壓轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用最excellentRDSON和柵極電荷。...
2023-08-12 查看(954)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM405Q高單元密度溝槽N溝道MOSFET
- AGM405O是高單元密度溝槽N溝道MOSFET,它提供了同步降壓轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用最優(yōu)秀的RDSON和柵極電荷。綠色設(shè)備可用超低柵電荷,優(yōu)異的CdV/dt效應(yīng)下降,先進(jìn)的高電池密度溝槽技術(shù)。...
2023-08-12 查看(766)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM303AP低電阻封裝溝槽MOSFET_聚泉鑫
- 先進(jìn)高電池密度溝槽技術(shù)低RDs (oN),最大限度地減少導(dǎo)電損耗低柵極電荷,實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)低熱阻。應(yīng)用:兆字節(jié)/VGAVcore,SMPS第二同步整流器,PolyOne公司應(yīng)用程序,無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。...
2023-08-12 查看(1071)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM405AP1是高單元密度溝槽N溝道MOSFET
- AGM405AP1是高單元密度溝槽N溝道MOSFET它提供了同步降壓轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用最優(yōu)秀的RDSON和柵極電荷。...
2023-08-11 查看(974)