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- 其他芯片方案 芯控源AGM1010A2高電池密度槽溝式N-溝道MOSFET
- AGM1010A2是高電池密度槽溝式N-溝道MOSFET,它提供適用于大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的優(yōu)秀RD SON和柵極電荷。...
2023-08-11 查看(1175)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM310AP1溝槽N溝道MOSFET_聚泉鑫
- 100%EAS保證綠色設(shè)備可用*超低柵極電荷優(yōu)異的CdV/dt效應(yīng)衰減先進(jìn)的高電池密度溝槽技術(shù)。AGM310AP1是高單元密度溝槽N溝道MOSFET,它提供了同步降壓轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用最優(yōu)秀的RDSON和柵極電荷。...
2023-08-11 查看(1274)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM308AP槽溝式N-溝道MOSFET-聚泉鑫
- AGM308AP是高電池密度槽溝式N-溝道MOSFET,它提供適用于大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的優(yōu)秀RDSON和柵極電荷。...
2023-08-11 查看(893)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM306AP溝槽N溝道MOSFET_聚泉鑫
- AGM306AP是高單元密度溝槽N溝道MOSFET它提供了同步降壓轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用最優(yōu)秀的RDSON和柵極電荷。...
2023-08-11 查看(814)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM311MAP芯片溝槽N溝道MOSFET_聚泉鑫
- AGMSEMI AGM311MAP,耐壓30V,導(dǎo)阻10.5mΩ,DFN3.3*3.3封裝,用于線(xiàn)圈驅(qū)動(dòng)。AGM311MAP是高單元密度溝槽N溝道MOSFET,它提供了同步降壓轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用最優(yōu)秀的RDSON和柵極電荷。...
2023-08-11 查看(1008)
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- 其他芯片方案 英集芯IP5356充電流控制寄存器,口輕載電流設(shè)置寄存器
- IP5356 支持 LED1LED2 復(fù)用為12C 的連接方式,按照對(duì)應(yīng)的方式連接和上電就會(huì)關(guān)閉其他功能,自進(jìn)入12C模式。IP5356 i2c 通訊頻率最高支持 300K ,8bit 寄存器地址,8bit 寄存器數(shù)據(jù),發(fā)送和接收都是高位在前(MSB),12C 設(shè)備地址有兩組,一組:寫(xiě)為 0xE8,...
2023-08-09 查看(1478)
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- 其他芯片方案 IP2218 USB接口的快速充電物理層IC_聚泉鑫
- IP2218是一款USB端口專(zhuān)用的快速充電物理層芯片,支持11種快速充電標(biāo)準(zhǔn),包括USBPD2.0/PD3.0/PPS(可編程電源),HVDCPQC2.0/QC3.0(快速充電) ,Allied CapitalCorporation (三星@自適應(yīng)快速充電)、SCP(海思超級(jí)充電協(xié)議)和FCP (海...
2023-06-17 查看(989)
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- 其他芯片方案 英集芯IP2189端口的快充協(xié)議 IC_聚泉鑫
- IP2189 具備高集成度和豐富的功能,應(yīng)用方案外圍器件最少化,有效減小整體方案的尺寸和復(fù)雜度,降低 BOM 成本。為適配器、車(chē)充等單向輸出應(yīng)用提供完整的 TypeC PD 解決方案。...
2023-06-17 查看(880)
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- 其他芯片方案 英集芯IP2188_D USBC端口快充協(xié)議 IC_聚泉鑫
- 英集芯IP2188_D USBC端口快充協(xié)議 IC應(yīng)用,USB 功率輸出接口、移動(dòng)電源、車(chē)載充電器智慧手機(jī)、平板電腦、網(wǎng)絡(luò)筆記本、數(shù)字相機(jī)、藍(lán)牙配件所用的電池充電器,支持自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備類(lèi)型和充電協(xié)議切換,自動(dòng)響應(yīng)快充協(xié)議請(qǐng)求。...
2023-06-17 查看(792)